|
Рефераты Главная Краткое содержаниепроизведений Архитектура Астрономия Банковское делои кредитование Безопасностьжизнедеятельности Биографии Биология Биржевое дело Бухгалтерия и аудит Военное дело География Геодезия Геология Гражданская оборона Животные Здоровье Земельное право Иностранные языкилингвистика Искусство Историческая личность История История отечественногогосударства и права История политичискихучений История техники Компьютерные сети Компьютеры ЭВМ Криминалистика икриминология Культурология Литература Литература языковедение Маркетинг товароведениереклама Математика Материаловедение Медицина Медицина здоровье отдых Менеджмент (теорияуправления и организации) Металлургия Москвоведение Музыка Наука и техника Нотариат Общениеэтика семья брак Педагогика Право Программированиебазы данных Программное обеспечение Промышленностьсельское хозяйство Психология Радиоэлектроникакомпьютеры и перифирийные устройства Реклама Религия Сексология Социология Теория государства и права Технология Физика Физкультура и спорт Философия Финансовое право Химия - рефераты Хозяйственное право Ценный бумаги Экологическое право Экология Экономика Экономикапредпринимательство Юридическая психология |
Элементная база радиоэлектронной аппаратурыУПИ УГТУ Кафедра радиоприёмные устройства. Контрольная работа 2 по дисциплине: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “. Вариант № 17 Шифр: Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс: 3 Работу не высылать. УПИ УГТУ Кафедра радиоприёмные устройства. Контрольная работа 2 по дисциплине: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “. Вариант № 17 Шифр: Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс: 3 Работу не высылать. Аннотация. Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов. Исходные данные: Тип транзистора ГТ310Б Величина напряжения питания Еп ... 5 В Сопротивление коллекторной нагрузки Rк 1,6 кОм Сопротивление нагрузки Rн ……………………………………………………. 1,8 кОм Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой. Биполярный транзистор ГТ310Б. Краткая словесная характеристика: Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,1 г.. Электрические параметры. Коэффициент шума при ƒ = 1,6 МГц, Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА не более ……………. 3 дБ Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ƒ = 50 – 1000 Гц ……………………………….. 60 – 180 Модуль коэффициента передачи тока H21э при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ƒ = 20 МГц не менее …………………………... 8 Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ƒ = 5 МГц не более ………………………….… 300 пс Входное сопротивление в схеме с общей базой при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА …………………………………………………… 38 Ом Выходная проводимость в схеме с общей базой при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ƒ = 50 – 1000 Гц не более .. 3 мкСм Ёмкость коллектора при Uкб= 5 В, ƒ = 5 МГц не более ………………………… 4 пФ Предельные эксплуатационные данные. Постоянное напряжение коллектор- эмиттер: при Rбэ= 10 кОм ……………….………………………………………… 10 В при Rбэ= 200 кОм ……………….……………………………………….. 6 В Постоянное напряжение коллектор- база ... 12 В Постоянный ток коллектора ……………………………………………………… 10 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К ………... 20 мВт Тепловое сопротивление переход- среда ... 2 К/мВт Температура перехода ……………………………………………………………. 348 К Температура окружающей среды ………………………………………………... От 233 до 328 К Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 – 328 К определяется по формуле: PК.макс= ( 348 – Т )/ 2 Входные характеристики. Для температуры Т = 293 К : Iб, мкА 200 160 120 80 40 0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35 Uбэ,В Выходные характеристики. Для температуры Т = 293 К : Iк , мА 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 1 2 3 4 5 6 Uкэ,В Нагрузочная прямая по постоянному току. Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с общим эмиттером: Построим нагрузочную прямую по двум точкам: при Iк= 0, Uкэ= Еп = 9 В, и при Uкэ= 0, Iк= Еп / Rк = 9 / 1600 = 5,6 мА Iк , мА 6 5 4 А 3 Iк0 2 1 0 1 2 3 4 5 Uкэ0 6 7 8 9 Еп Uкэ,В Iб, мкА 50 40 30 Iб0 20 10 0 0,15 0,17 0,19 0,21 0,23 0,25 0,27 0,29 Uбэ0 0,31 Uбэ,В Параметры режима покоя (рабочей точки А): Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В Величина сопротивления Rб: Определим H–параметры в рабочей точке. Iк , мА 6 5 4 ΔIк0 3 ΔIк 2 1 0 1 2 3 4 5 Uкэ0 6 7 8 9 Еп Uкэ,В ΔUкэ Iб, мкА 50 40 ΔIб 30 Iб0 20 10 0 0,15 0,17 0,19 0,21 0,23 0,25 0,27 0,29 Uбэ0 0,31 Uбэ,В ΔUбэ ΔIк0= 1,1 мА, ΔIб0 = 10 мкА, ΔUбэ = 0,014 В, ΔIб = 20 мкА, ΔUкэ= 4 В, ΔIк= 0,3 мА H-параметры: Определим G – параметры. Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц: G-параметр: G11э= 1,4 мСм, G12э= - 0,4*10 –6 G21э= 0,15 , G22э= 4,1*10 –3 Ом Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора. Схема Джиаколетто – физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора: Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями (упрощёнными): Собственная постоянная времени транзистора: Крутизна: Определим граничные и предельные частоты транзистора. Граничная частота коэффициента передачи тока: Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером: Максимальная частота генерации: Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером: Предельная частота проводимости прямой передачи: Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую. Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току: Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В и точку с координатами: Iк= 0, Uкэ= Uкэ0+ Iк0*R~= 4,2 + 3*10 –3 * 847 = 6,7 В Iк , мА 6 5 4 А 3 Iк0 2 1 0 1 2 3 4 5 Uкэ0 6 7 8 9 Еп Uкэ,В Определим динамические коэффициенты усиления. Iк , мА 6 5 А 4 ΔIк 3 Iк0 2 1 0 1 2 3 4 5 Uкэ0 6 7 8 9 Еп Uкэ,В ΔUкэ Iб, мкА 50 40 ΔIб 30 Iб0 20 10 0 0,15 0,17 0,19 0,21 0,23 0,25 0,27 0,29 Uбэ0 0,31 Uбэ,В ΔUбэ ΔIк= 2,2 мА, ΔUкэ= 1,9 В, ΔIб = 20 мкА, ΔUбэ = 0,014 В Динамические коэффициенты усиления по току КI и напряжению КU определяются соотношениями: Выводы: Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах. Библиографический список. 1) Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г.. 2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г. 3) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г. 4) Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г.. 5) Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г.. 6) Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.: Радио и связь, 1981г.. |
|